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NTC熱敏電阻的導(dǎo)電機理
返回列表 來源: 發(fā)布日期: 2020.11.18

電子跳躍模型(electron hopping model)是目前在Ni-Mn-O系NTC熱敏陶瓷中被廣泛認可和接受的導(dǎo)電機理。該模型認為在該體系中電子導(dǎo)電存在兩個條件:(1)金屬離子的價態(tài)是可以變價的;(2)變價的金屬離子在晶體學(xué)中占據(jù)相同的位置。對于Ni-Mn-O材料體系而言,一般都含有可變價的Mn離子,存在+4 、+3、+2等諸多價態(tài),其中Mn 4++和Mn3+離子一般傾向于進入尖晶石結(jié)構(gòu)中的B位,而Mn2+離子則會傾向進入A位。在尖晶石結(jié)構(gòu)中,由于B-B位之間的距離略小于A-A位之間的距離,所以電子會在距離較短的B位Mn4+離子和Mn3+離子之間進行跳躍,產(chǎn)生跳約導(dǎo)電。以NixMn3-xO4(03O4,眾所周知Mn3O4是絕緣體,電阻率非常大,它的陽離子分布形式一般為[Mn2+]A[Mn3+Mn3+]BO4,可以看出在B位此時只存在Mn3+單一陽離子,沒有其他價態(tài)的Mn離子存在,電子于是不能進行跳躍導(dǎo)電,所以Mn3O4電阻率非常大,導(dǎo)電特性為絕緣體。當(dāng)向Mn3O4中摻入Ni元素時,一般以Ni2+離子狀態(tài)存在,從表1中可以知道,Ni2+離子在八面體間隙位置優(yōu)先占據(jù)能(OSPE)高達22.8,所以Ni2+離子優(yōu)先進入B位。Ni2+離子進入B位后,為了保持電價中性,此時位于B位的Mn3+離子必將發(fā)生變價成為更高價態(tài)的Mn4+離子,此時NixMn3-xO4的陽離子分布情況可寫成:[Mn2+]A[Ni2+xMn4+xMn3+2-2x]BO4,可以看出,此時在B位存在Mn4+和Mn3+兩種價態(tài)的離子,于是電子便可以在Mn4+和Mn3離子之間產(chǎn)生跳躍電導(dǎo),電阻率下降,且隨著摻入的Ni含量的增加,電阻率繼續(xù)呈現(xiàn)下降的趨勢。理論上可以通過下式來 計算電導(dǎo)率:     4   (1)
        其中 ,5 是八面體位置的濃度, 是電子跳躍距離, 是與傳導(dǎo)相關(guān)的晶格熱振動的頻率, 是玻爾茲曼常數(shù), 是電子的基本電荷,[Mn4+]和[Mn3+]是八面體中Mn4+ 離子和Mn3+離子的濃度, 是電子跳躍需要克服的勢壘。理論計算可知, 當(dāng)[Mn3+]=[Mn4+]時,即x=2/3,電阻率將有極小值,若繼續(xù)增加Ni元素的含量,電阻率則會逐漸增加。Fritsch就系統(tǒng)研究了NixMn3-xO4(0.6


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     圖2  NixMn3-xO4電阻率隨鎳含量變化示意圖,兩種陶瓷金屬化工藝:(a)真空蒸發(fā)鍍膜(沒有熱處理過程); (b)絲網(wǎng)印刷工藝(850°C燒銀)。


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